鏡面加工した銅の洗浄方法とは？

回答（４）の者です。

＞ 使用後のダイヤモンド工具を観察していますが、欠けは発生していませんので1点目に
＞ いただいたアドバイスの心配は無いと考えています。
の内容ですが、小生なら“使用後のダイヤモンド工具を観察”ではなく、“銅表面を観察
若しくは検査確認”をします。

老婆心ではありますが、再度アドバイスをします。

ついつい、昔の上司癖が出て申し訳ない。

やはり、微細度がアップする時は、色々な事に注意し、基本に立ち返りチェックが

必要です。

それで、確認は如何でしたか？

半導体の知識なので、当てはまるかは？？ですが、２点アドバイスします。

１点目は、
単結晶ダイヤモンドを使って純銅のワークを鏡面加工時に、ダイヤモンドが鏡面に喰い込ん
でいる、又は引っ掛かっている場合が想定されます。
その場合には、ケミカル洗浄ではダイヤモンドを除去できない。
アセトンは有機系なのですが、銅をエッチングする能力は無いと想像します。
（軽い銅のエッチング作用があれば、ダイヤモンドは自然に分離するのですが…）
すると、ブラシを使用し銅表面を軽く擦り、ダイヤモンドを分離する必要があります。
ブラシは、半導体ウエハでも実績がある物を使用し、銅表面にダメージが無い材質や形状
の物を用いると良いでしょう。
（フィジカル洗浄を入れた方が良いのではと考えます。）

２点目は、
乾燥性能です。
最終工程が、アルコール洗浄なので、水シミ（ウォーターマーク）等は考えなくて良いの
ですが、
（5）IPAで超音波洗浄（3分）で、“アセトンからIPAへ置換し洗浄”
（6）IPAに浸漬（3分）で、“IPAリンス”
（6）'IPAに浸漬（3分）で、“IPA最終リンス”できれは１回リンスでIPAを交換
（7）窒素ガスを吹き付けて乾燥で、エアナイフの形状で吹き付け
　　 ≪トイレ等で、エアで手が拭ける機器のエア出口形状≫
の考え方を取り入れ、工程や工程の仕様を追加すると良いと考えます。

他の回答者さんで、CMPの記述をしている方がいます。
CMPは、本来半導体前工程の研磨工程を意味します。
そして、本来は研磨機です。
研磨機に洗浄機がドッキングしている物がありますが、研磨材が硬化すると洗浄が困難
になるため、荒洗浄が主目的ですから、使用はできないと考えた方が良いです。

また、CMP工程は研磨工程なので発塵するため、クリーン度が低い分離した部屋で研磨
と荒洗浄をする事が多く、再度洗浄する必要がある等の使用方法なので、今回の洗浄に
は全く向かないと考えた方が良いでしょう。

機上でよくやる手ですが「青ニス除去財など有機溶剤スプレーとエアーブローを同時にやるMCなどカバーのある機械なら飛び散らないし後工程の乾燥もいらないし。

当然火気厳禁だし職場環境に煩いとこでも不可だね。

半導体では銅配線をＣＭＰで研磨して・・・の工程があると聞くので、その装置でやるのが最善でしょうけど、、、大学レベルなら使わせてもらえそうだが、企業の工場は勿論、研究所でもヘンなものを持込まれて他に響いたら困るからまず許可しない。
装置メーカ、洗浄液メーカのＨＰでかなりの情報得られるようです。

溶剤洗浄も浸漬だけで回数重ねても液中の純度が落ちるので蒸気洗浄が必要。
更に油脂成分以外の残査は溶剤でも落ちず、回答（１）のように水洗浄も必要でしょう。

洗浄の目的によって、ごく僅か表面を侵しても良いなら、めっきの前工程が利用でき、業者も多く簡便です。

乾燥工程での改善は如何でしょうかね
＜純水スピン洗浄乾燥機＞　以下HPより抜粋記事
Ｓｉウェーハや硝子基板の表裏面のほこり等を短時間で、洗浄から乾燥まで行える洗浄装置になります。作業プロセスとして専用回転テーブルに加工対象物をセットし、回転させながら（MAX2000rpm）、加工対象物の表裏同時に純水で（5Ｌ／min）洗浄を行い、ドライ（乾燥）までをワンタッチで行えます。
※参考になればと回答させていただきました。
http://www.technorise.ne.jp/products/tcl300spw.php