CMOS入力に対する貫通電流の影響について

Question

お世話になります。

ＣＭＯＳデバイスへクロック入力するにあたりＥＭＩ対策の関係から波形をかなりなまらせた形で入力しています。
　ご存知の通りＣＭＯＳ入力への中間電位（立ち上がりのなまっている部分）入力時は貫通電流が流れると思うのですがこれがどれほどの影響を及ぼすのか懸念しています。
　具体的には貫通電流が流れ続け、経年によるエレクトロマイグレーションの発生です。
　デバイスメーカーは特にスルーレートの規定はなく、この点質問してもＡＣタイミングが維持できていればよいとのことでした。
　条件は、クロック周波数３３ＭＨｚ、電圧３Ｖ、立ち上がり時間９ｎｓｅｃ．です。

ご経験、ご見識のある方、ご教示お願いします。

Answer

毎度ＪＯです。
貫通電流が問題と成るのは、スレッショルド電位に居続け貫通電流が流れ続ける事です
メーカーの回答の通り「変化し続ければ」速度が遅くとも問題に成りません

>>波形をかなりなまらせた形で入力しています。
どの様に鈍らせているか気に掛かる所です
前段の出力直近にＣＲ等で加工するなら良いのですが、Ｃのみとかでやってると問題に成りそうです

Answer

>　条件は、クロック周波数３３ＭＨｚ、電圧３Ｖ、立ち上がり時間９ｎｓｅｃ．です。
こんな高速なら心配無用でしょう
数百ミリセカンドならともかくとして

所謂、４０４９発振回路
http://homepage3.nifty.com/ARTWEB/ret1.htm
http://rlc.cocolog-nifty.com/kousaku/2011/03/
これで特に問題ないのだから

多少の発熱はあるかも知れないが
逆に言えば、許容温度上昇以内であればＯＫ

別に、厳密な熱量計算することもなく
指で触って熱くなければそれでヨシ！

Answer

＞貫通電流が流れ続け、経年によるエレクトロマイグレーション

VccからVddに電流が流れるルートは、ＣＭＯＳデバイス本来の電流ルート
ですから、マイグレーションを心配することは一般的ではないと思います。

貫通電流で心配するのは、Vcc×貫通電流の平均値が、本来の動作を超える
余分な発熱の原因となることと思います。ＣＭＯＳデバイスの動作温度が
最大定格に対して十分なディレーティングが確保されているのであれば、
過度の心配の必要はなさそうに思います。

デバイスメーカーが、ＡＣタイミングが維持できていればよいと言ってい
るなら、安心してお使いになれば良さそうに思います。

マイグレーションについての追加情報：
http://www1.coralnet.or.jp/fjk/migre/mg100.htm
http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%82%A8%E3%83%AC%E3%82%AF%E3%83%88%E3%83%AD%E3%83%9E%E3%82%A4%E3%82%B0%E3%83%AC%E3%83%BC%E3%82%B7%E3%83%A7%E3%83%B3

真っ当なデバイス選択、動作点の設計をしていれば、マイグレーションに対
する問題はないと判断してよさそうな情報の例です。

CMOS入力における貫通電流の影響